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第一百六十章 碳基芯片制作工艺(第1页)

“这一觉睡得真舒服!”

苏其伸了一个懒腰,这次醉酒没有人打扰,他一觉直接睡到了下午两点。

拿出手机点了一个外卖,随后打开app,看看最新的新闻。

“中为要出全华国产自研芯片……xx公司说龙魂eda涉嫌抄袭?……真是脸都不要了!!”

“造谣中为要用自研的芯片是吧……”

苏其笑了起来,“到时候拿出真货,不知道这群人会是個什么反应?”

他想想就有些期待。

如果是之前,那确实只能憋屈的出声明,没有这回事。但现在,有3d堆叠晶体技术,外加存内计算。

两个叠加上去完全可以抹平制程的差距。按照估算40n的芯片就可以对比7n。

完全足够现在芯片使用!

不仅中低端,高端也能满足!

就在他看一群跳的欢快水友笑话时。

忽然,一行字从系统面板上闪现。

新任务来了?

看到提示,苏其眼神一亮,随后急忙打开面板。

【系列任务:星辰永在,华夏永昌——芯片之魂(45)】

【任务内容:改装微型设备的芯片,并获得50000的震惊值】

【任务奖励:碳基芯片制作工艺】

……

“碳基芯片制作工艺,还以为会是光刻机呢!不过这个东西,也是一个好东西!”

看到任务奖励,苏其眼神有些发亮。

目前的芯片都是硅基芯片,而硅基芯片是有限制的。

在保证晶体硅的性质不变的情况下,最小的硅基芯片尺寸极限大约是1n。在这个尺寸之下,硅基芯片的物理性质会发生显著的变化。

也就说硅基芯片的极限就是1n。

而且在制造工艺方面,小于2n的硅基芯片需要采用极端的制造方法,如高能电子束和离子束刻蚀等,这是一个十分复杂,而且难以量产的技术。

但是碳基芯片则不一样,首先它的最低极限就比硅基芯片要高,能达到n级以下。

而最关键的是,碳基芯片的性能是远远好于硅基芯片的,如果用数据类比的话,就是7n的碳基芯片运行速度就可以比拟05n的硅基芯片的运行速度。

两个东西完全不在一个赛道上。

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